Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Dc and ac electrical response of MOCVD grown GaN in p-i-n structure, assessed through I-V and admittance measurement
XX
BSO - Titre
Dc and ac electrical response of MOCVD grown GaN in p-i-n structure, assessed through I-V and admittance measurement
XX
DOI
DOI
10.1088/1361-6463/aa98b2
XX
DOAI
DOAI
10.1088/1361-6463/aa98b2
XX
Identifiant WoS
WOS:000417484800009
XX
Accès ouvert
OA - Oui
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Editeur
XX
Editeur
IOP Publishing
XX
Source
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
XX
ISSN
0022-3727
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/XJLTNX23
12/10/2021 14:52:58 (latest)
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